伊爽環(huan)境-高濃(nong)度反(fan)滲透濃(nong)水(shui)循(xun)環(huan)利用設(she)備

高濃(nong)度反(fan)滲透濃(nong)水(shui)循(xun)環(huan)利用設(she)備

壹(yi)、電吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)技術原理

電吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)技術（Electrosorb Technology），簡稱（EST），又稱電容(rong)性(xing)除(chu)鹽(yan)技術（Capacitive Deionization/Desalination Technology）。

水(shui)處(chu)理中的(de)鹽(yan)類大多(duo)是以離(li)子(zi)（帶(dai)正(zheng)電或(huo)負(fu)電）的(de)狀態(tai)存在。電吸附(fu)除(chu)鹽(yan)技術的(de)基本(ben)思想(xiang)就是(shi)通過施(shi)加(jia)外(wai)加(jia)電(dian)壓形成靜(jing)電場，強制離子(zi)向(xiang)帶(dai)有(you)相反(fan)電(dian)荷的(de)電極(ji)處(chu)移動，使(shi)離(li)子在雙電(dian)層內(nei)富(fu)集(ji)，大大降低溶液本體(ti)濃(nong)度，從而(er)實(shi)現(xian)對(dui)水(shui)溶液的(de)除(chu)鹽(yan)。

電吸(xi)附(fu)原理見圖(tu)2，原水(shui)從壹(yi)端(duan)進入(ru)由兩(liang)電極板相(xiang)隔而(er)成的(de)空(kong)間，從另(ling)壹(yi)端(duan)流出(chu)。原水(shui)在陰、陽極(ji)之間流動時(shi)受到(dao)電(dian)場的(de)作(zuo)用，水(shui)中離(li)子(zi)分(fen)別向帶(dai)相反(fan)電(dian)荷的(de)電極(ji)遷移，被該(gai)電極(ji)吸(xi)附(fu)並儲存在雙電(dian)層內(nei)。隨著(zhe)電(dian)極(ji)吸附(fu)離(li)子(zi)的(de)增(zeng)多(duo)，離子(zi)在電極表(biao)面(mian)富集(ji)濃(nong)縮，終(zhong)實(shi)現(xian)與(yu)水(shui)的(de)分(fen)離(li)，獲(huo)得(de)凈化/淡化的(de)產品(pin)水(shui)。

圖(tu)2　電吸(xi)附(fu)基(ji)本(ben)工作(zuo)原理示(shi)意(yi)圖(tu)

當含有(you)壹(yi)定量(liang)鹽(yan)類的(de)原水(shui)經過由(you)高功(gong)能(neng)電(dian)極材料組(zu)成的(de)電吸(xi)附(fu)模(mo)塊(kuai)時(shi)，離子在直流(liu)電場的(de)作(zuo)用下(xia)被儲(chu)存在電極表(biao)面(mian)的(de)雙電(dian)層中(zhong)，直至(zhi)電極達(da)到(dao)飽(bao)和。此(ci)時，將直流(liu)電源去掉(diao)，並將正(zheng)負(fu)電極(ji)短(duan)接(jie)，由於(yu)直流(liu)電場的(de)消(xiao)失(shi)，儲存在雙電(dian)層中(zhong)的(de)離子(zi)又重(zhong)新回到(dao)通道(dao)中，隨水(shui)流排(pai)出(chu)，電(dian)極也由(you)此(ci)得到(dao)再(zai)生(sheng)。在電吸附(fu)過程中，電量(liang)的(de)儲存/釋放(fang)是(shi)通過離(li)子(zi)的(de)吸/脫(tuo)附(fu)而(er)不(bu)是化學(xue)反(fan)應(ying)來實(shi)現(xian)的(de)，故(gu)而(er)能(neng)快速充放(fang)電(dian)，而(er)且由(you)於(yu)在充放(fang)電(dian)時(shi)僅(jin)產生(sheng)離子的(de)吸/脫(tuo)附(fu)，電(dian)極(ji)結(jie)構(gou)不(bu)會(hui)發(fa)生(sheng)變化，所(suo)以其(qi)充放(fang)電(dian)次(ci)數(shu)在原理上沒有(you)限制。另(ling)外，在短(duan)時間內(nei)過電(dian)壓(ya)壹(yi)般不(bu)會(hui)對裝(zhuang)置產生(sheng)不(bu)良(liang)影響(xiang)。溫(wen)度對離(li)子的(de)吸脫(tuo)附(fu)速度影響(xiang)不(bu)是很(hen)大，故(gu)其(qi)容(rong)量(liang)變化也(ye)相對(dui)小得(de)多(duo)。見下(xia)圖(tu)3再生(sheng)過程示(shi)意(yi)圖(tu)

圖(tu)3再生(sheng)過程示(shi)意(yi)圖(tu)

根據(ju)Gouy-Chapman-Stern模型，在壹(yi)個(ge)理想(xiang)的(de)等(deng)價(jia)離(li)子電解質(zhi)溶液雙電(dian)層系(xi)統(tong)中，電(dian)極(ji)表(biao)面(mian)電荷量(liang)與電(dian)極電(dian)位、離子(zi)濃(nong)度、溫(wen)度等(deng)參數(shu)之(zhi)間有(you)如下(xia)關系(xi)式(shi)：

q^M=+(8RTε)^1/2(C_b)^1/2sinh(zFΦ₂/2RT)                                            （3-1）

其(qi)中(zhong)：q

^M為(wei)電極(ji)表面(mian)電荷量(liang)，ε為(wei)溶液介電常數(shu)，C_b為(wei)溶液離子(zi)濃(nong)度，z為(wei)離子(zi)電荷數(shu)，Φ₂為(wei)擴散(san)層電(dian)勢差，R為(wei)氣體(ti)常數(shu)，T為(wei)溫(wen)度。

從（3-1）式可(ke)以看(kan)出，雙電(dian)層內(nei)可(ke)集(ji)聚的(de)離子(zi)數(shu)量(liang)與離(li)子的(de)濃(nong)度和在電極上所施(shi)加(jia)的(de)電勢(shi)密切(qie)相關。當(dang)體系(xi)的(de)溫(wen)度、電勢(shi)為(wei)壹(yi)定時(shi)，（3-1）式(shi)可(ke)簡化為(wei)：

q^M=k(C_b)^1/2                                                                                    （3-2）

如果假設(she)電極電荷密度與電(dian)極表(biao)面(mian)所集(ji)聚的(de)離子(zi)量(liang)成正(zheng)比，則(ze)有(you)

S=K(C

_b)^1/2                                                                                     （3-3）

其(qi)中(zhong)S為(wei)雙電(dian)層內(nei)離(li)子(zi)的(de)集聚密度，也即離(li)子吸附(fu)量(liang)。

從（3-3）式可(ke)以看(kan)出，在等(deng)溫(wen)等(deng)電勢(shi)條(tiao)件(jian)下(xia)，電極(ji)對離(li)子(zi)的(de)電吸(xi)附(fu)量(liang)與溶液離子(zi)濃(nong)度平方根成正(zheng)比關(guan)系(xi)，與(yu)Frundlich吸附(fu)等(deng)溫(wen)線(xian)相(xiang)似(si)。當(dang)電極表面(mian)電位(wei)達(da)到(dao)壹(yi)定值時，雙電(dian)層離(li)子濃(nong)度可(ke)達(da)溶液體相(xiang)濃(nong)度的(de)成百(bai)上千(qian)倍(bei)。當含有(you)壹(yi)定量(liang)鹽(yan)類的(de)原水(shui)經過由(you)高功(gong)能(neng)電(dian)極材料組(zu)成的(de)電吸(xi)附(fu)模(mo)塊(kuai)時(shi)，離子在直流(liu)電場的(de)作(zuo)用下(xia)被儲(chu)存在電極表(biao)面(mian)的(de)雙電(dian)層中(zhong)，直至(zhi)電極達(da)到(dao)飽(bao)和。此(ci)時，將直流(liu)電源去掉(diao)，並將正(zheng)負(fu)電極(ji)短(duan)接(jie)，由於(yu)直流(liu)電場的(de)消(xiao)失(shi)，儲存在雙電(dian)層中(zhong)的(de)離子(zi)又重(zhong)新回到(dao)通道(dao)中，隨水(shui)流排(pai)出(chu)，電(dian)極也由(you)此(ci)得到(dao)再(zai)生(sheng)。

電吸附(fu)模(mo)塊(kuai)處(chu)理效(xiao)果(guo)的(de)好(hao)壞(huai)主要取(qu)決於(yu)電(dian)極(ji)的(de)吸附(fu)性(xing)能(neng)。通常，對材料吸(xi)附(fu)能(neng)力(li)的(de)描(miao)述(shu)是用等(deng)電勢(shi)吸(xi)附(fu)等(deng)溫(wen)線(xian)來(lai)進(jin)行描(miao)述(shu)的(de)，而(er)對電(dian)吸附(fu)來(lai)說(shuo)，除(chu)了(le)要(yao)考(kao)慮到(dao)溫(wen)度的(de)影響(xiang)外，還必(bi)須考(kao)慮電(dian)極(ji)電勢(shi)的(de)影響(xiang)。因此(ci)，本技(ji)術的(de)研究(jiu)是從通過測(ce)定(ding)等(deng)電勢(shi)吸(xi)附(fu)等(deng)溫(wen)線(xian)，了(le)解掌(zhang)握(wo)電極(ji)材料的(de)電吸(xi)附(fu)性(xing)能(neng)著(zhe)手(shou)。

圖(tu)4示(shi)出(chu)電極(ji)材料對(dui)氯(lv)化鈉(na)的(de)等(deng)電勢(shi)吸(xi)附(fu)等(deng)溫(wen)線(xian)。實(shi)驗(yan)條件(jian)為(wei)溫(wen)度25℃，電極(ji)電壓(ya)1.0V。通過對(dui)曲(qu)線(xian)的(de)回歸計(ji)算，得(de)出吸附(fu)量(liang)與平(ping)衡(heng)濃(nong)度的(de)關系(xi)，如（3-4）式所示(shi)，吸(xi)附(fu)量(liang)與平(ping)衡(heng)濃(nong)度呈(cheng)平方根關(guan)系(xi)，符(fu)合(he)上述雙電(dian)層理論(lun)計(ji)算式(shi)的(de)預測(ce)。

                                                                                       （3-4）

式中：m

_ad—每克(ke)電極材料的(de)吸附(fu)量(liang)，mg/g；

C—氯化鈉(na)溶液的(de)平衡(heng)濃(nong)度，mg/L。

圖(tu)4 氯化鈉(na)在電極材料上的(de)等(deng)電勢(shi)吸(xi)附(fu)等(deng)溫(wen)線(xian)

由(you)於(yu)電(dian)吸(xi)附(fu)過程主要利用電(dian)場力(li)的(de)作(zuo)用將陰(yin)、陽離子(zi)分(fen)別吸附(fu)到(dao)不(bu)同的(de)電極(ji)表面(mian)形成雙電(dian)層，這會(hui)使同壹(yi)極面(mian)上的(de)難溶鹽(yan)離子(zi)濃(nong)度積相(xiang)對低得多(duo)，可(ke)有(you)效(xiao)防(fang)止(zhi)難溶鹽(yan)結(jie)垢(gou)現(xian)象(xiang)的(de)發(fa)生(sheng)。其(qi)次(ci)，電(dian)吸(xi)附(fu)極(ji)板(ban)間水(shui)徑(jing)流與(yu)極板呈(cheng)切(qie)線(xian)方向，不(bu)利於水(shui)中析(xi)出(chu)難(nan)溶鹽(yan)結(jie)晶在極板上的(de)生(sheng)長(chang)。電(dian)吸(xi)附(fu)可(ke)以在濃(nong)水(shui)難溶鹽(yan)過飽(bao)和(he)狀(zhuang)態下(xia)運行。另(ling)外，在電吸附(fu)模(mo)塊(kuai)中(zhong)，由於電吸附(fu)過程中陰、陽離(li)子吸附(fu)不(bu)平衡(heng)導(dao)致(zhi)產生(sheng)氫離子(zi)含量(liang)較多(duo)的(de)出水(shui)，通過倒極的(de)方式，略(lve)偏(pian)酸(suan)性的(de)出水(shui)同樣會(hui)使有(you)微(wei)量(liang)結(jie)垢(gou)現(xian)象(xiang)的(de)垢體(ti)溶解掉(diao)。

二(er)、電吸(xi)附(fu)的(de)工藝流(liu)程

工藝流(liu)程分(fen)為(wei)三個(ge)步(bu)驟：工作(zuo)流程，再生(sheng)流程和排汙流程。

工作(zuo)過程：原水(shui)貯藏(zang)在原水(shui)池中(zhong)，與(yu)此(ci)同時酸(suan)溶液也通過計(ji)量(liang)泵同步(bu)連(lian)續地加(jia)入(ru)原水(shui)池，經過曝(pu)氣(qi)後原水(shui)通過提(ti)升(sheng)泵(beng)被提升(sheng)進入精(jing)密(mi)過濾(lv)器(qi)，大於10μm的(de)殘留固體(ti)懸浮(fu)物(wu)在此(ci)道(dao)工序(xu)被(bei)截(jie)流(liu)，水(shui)再被(bei)送(song)入(ru)電吸附(fu)（EST）模(mo)塊(kuai)A。水(shui)中溶解性(xing)的(de)鹽(yan)類被(bei)吸附(fu)，水(shui)得到(dao)除(chu)鹽(yan)凈化。

再(zai)生(sheng)過程：就是(shi)模塊的(de)反(fan)沖(chong)洗過程，用原水(shui)沖洗經過短(duan)接(jie)靜(jing)置的(de)模塊(kuai)，使電極再生(sheng)。反(fan)沖(chong)洗後的(de)水(shui)被送(song)入(ru)中(zhong)間水(shui)池，進(jin)入(ru)中(zhong)水(shui)池的(de)水(shui)等(deng)待下(xia)壹(yi)個(ge)周(zhou)期排(pai)汙用。

排(pai)汙過程：排汙過程其(qi)本(ben)質(zhi)和(he)再(zai)生(sheng)壹(yi)樣，是模(mo)塊的(de)壹(yi)個(ge)反(fan)沖(chong)洗程序(xu)，但(dan)水(shui)源有(you)區別，排汙過程用的(de)是中(zhong)間水(shui)池的(de)水(shui)，即再(zai)生(sheng)之後的(de)濃(nong)水(shui)，這是(shi)壹(yi)個(ge)有(you)效(xiao)的(de)節(jie)水(shui)過程，因為(wei)經過再(zai)生(sheng)之後的(de)濃(nong)水(shui)尚未(wei)達(da)到(dao)飽(bao)和，所以用再(zai)生(sheng)後產生(sheng)的(de)濃(nong)水(shui)再次(ci)沖(chong)洗模塊，就節(jie)省了(le)沖(chong)洗過程中的(de)用水(shui)量(liang)，從而(er)提高了(le)得水(shui)率。

電吸附(fu)工藝流(liu)程圖(tu)






圖(tu)6 電吸(xi)附(fu)工藝流(liu)程圖(tu)



三、電(dian)吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)裝置(zhi)的(de)技術特(te)點

耐受性(xing)好(hao) 核(he)心部(bu)件(jian)使(shi)用壽(shou)命(ming)長(chang)。（實(shi)際工程連(lian)續運行已7年以上），避免(mian)了因(yin)更(geng)換(huan)核心部(bu)件(jian)而(er)帶(dai)來的(de)運行成本的(de)提高。


特(te)殊離(li)子(zi)去除(chu)*  EST技(ji)術對(dui)氟、氯、鈣(gai)、鎂離子(zi)去除(chu)率效(xiao)果(guo)尤佳(jia)。


無(wu)二(er)次汙染   EST系(xi)統(tong)幾乎不(bu)添加(jia)任(ren)何藥劑(ji)，排(pai)放(fang)濃(nong)水(shui)所含成份均系(xi)來(lai)自於原水(shui)，系(xi)統(tong)本身(shen)不(bu)產生(sheng)新的(de)排放(fang)物(wu)。濃(nong)水(shui)可(ke)直接(jie)達(da)標(biao)排(pai)放(fang)，無(wu)需(xu)進壹(yi)步(bu)處(chu)理。
對顆(ke)粒汙染物低   由於電吸(xi)附(fu)脫(tuo)鹽(yan)裝置(zhi)采用通道(dao)式結(jie)構(gou)（通道(dao)寬度為(wei)毫米級(ji)），因(yin)此(ci)不(bu)易堵(du)塞(sai)。對(dui)前處(chu)理要求(qiu)相對較(jiao)低，因此(ci)可(ke)降低投(tou)資(zi)及運行成本。

抗結(jie)垢(gou)當(dang)原水(shui)硬(ying)度較高，且堿(jian)度也較(jiao)高時(shi)，極易(yi)結(jie)垢(gou)（CaCO₃）。但(dan)電(dian)吸(xi)附(fu)技(ji)術主要是(shi)利用電(dian)場作(zuo)用將陰(yin)、陽離子(zi)分(fen)別去除(chu)，因(yin)此(ci)，陰、陽(yang)離子(zi)所處(chu)場所不(bu)同，不(bu)會(hui)互(hu)相(xiang)結(jie)合(he)產生(sheng)垢體。


抗(kang)油(you)類汙染  由於電(dian)吸附(fu)脫(tuo)鹽(yan)裝置(zhi)采用特(te)殊的(de)惰性(xing)材料制成電極，可(ke)抗(kang)油(you)類汙染。電吸附(fu)脫(tuo)鹽(yan)技術已成功應(ying)用於(yu)煉油(you)廢水(shui)回用（齊(qi)魯(lu)石(shi)化工程）。


操作(zuo)及維(wei)護(hu)簡便   由於EST系(xi)統(tong)不(bu)采用膜類元件(jian)，因(yin)此(ci)對原水(shui)的(de)要求(qiu)不(bu)高。在停(ting)機期(qi)間也無需(xu)對核心部(bu)件(jian)作(zuo)特別保(bao)養。系(xi)統(tong)采用計(ji)算機(ji)控制，自動化程度高，對(dui)操作(zuo)者的(de)技術要(yao)求較低。


運行成本低 該(gai)技術屬(shu)於常(chang)壓操(cao)作(zuo)，能(neng)耗比較低，其(qi)主要的(de)能(neng)量(liang)消(xiao)耗在於使離(li)子發(fa)生(sheng)遷移。這與(yu)其(qi)它除(chu)鹽(yan)技術相(xiang)比可(ke)以大大地節(jie)約(yue)能(neng)源。其(qi)根(gen)本(ben)原因(yin)在於EST技術凈(jing)化/淡化水(shui)的(de)原理是有(you)區別性地將水(shui)中離(li)子(zi)從待處(chu)理的(de)原水(shui)中提(ti)取(qu)分(fen)離(li)出(chu)來(lai)，而(er)不(bu)是把水(shui)分(fen)子(zi)從待處(chu)理的(de)原水(shui)中分(fen)離(li)出(chu)來(lai)。


四、電吸附(fu)除(chu)鹽(yan)裝置(zhi)的(de)技術優(you)勢(shi)

采用高效(xiao)功(gong)能(neng)材料

EST模(mo)塊(kuai)采用了(le)高效(xiao)功(gong)能(neng)材料作(zuo)為(wei)電極(ji)，該(gai)電極(ji)材料不(bu)但除(chu)鹽(yan)效(xiao)果(guo)好(hao)，而(er)且具(ju)有(you)化學(xue)性(xing)質(zhi)高度穩定(ding)、耐酸、耐堿(jian)、耐腐蝕、抗氧化等(deng)特點(dian)，這使(shi)得(de)電(dian)吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)裝置(zhi)具有(you)對來(lai)水(shui)水(shui)質(zhi)約(yue)束(shu)小、抗(kang)汙染、設(she)備可(ke)靠、運行穩(wen)定(ding)等(deng)優(you)點(dian)。

這種(zhong)高效(xiao)功(gong)能(neng)材料屬(shu)於惰(duo)性的(de)多(duo)孔無(wu)機(ji)物(wu)質(zhi)，比(bi)表(biao)面(mian)大，且在電吸附(fu)運(yun)行中(zhong)還有(you)壹(yi)定量(liang)的(de)初生(sheng)活性氧(yang)化基(ji)團(tuan)產生(sheng)，對原水(shui)中的(de)有(you)機物(wu)具有(you)壹(yi)定的(de)去除(chu)效(xiao)果(guo)，擴大原水(shui)水(shui)質(zhi)約(yue)束(shu)範(fan)圍(wei)。經過適當的(de)預處(chu)理，原水(shui)就可(ke)以進(jin)入(ru)EST模塊(kuai)，即使(shi)在預處(chu)理上出壹(yi)些問(wen)題，如遇到(dao)包(bao)含少(shao)量(liang)油(you)汙在內(nei)的(de)有(you)機物(wu)汙染，也不(bu)會(hui)使電(dian)吸附(fu)材料受到(dao)大的(de)危(wei)害，仍(reng)能(neng)保(bao)證(zheng)相(xiang)對(dui)較(jiao)高的(de)除(chu)鹽(yan)率。因此(ci)，在這種(zhong)情(qing)況(kuang)下(xia)，可(ke)以在半年甚(shen)至(zhi)壹(yi)年的(de)長(chang)期(qi)運(yun)行後，利用酸(suan)洗或堿(jian)洗的(de)方式對(dui)電(dian)極(ji)材料進(jin)行清(qing)洗恢復。

停(ting)機期(qi)間，無需(xu)對核心部(bu)件(jian)作(zuo)特別保(bao)養，維(wei)護(hu)方便。

微(wei)通道(dao)設(she)計(ji)

電吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)裝置(zhi)采用微(wei)通道(dao)式設(she)計(ji)（通道(dao)寬度為(wei)毫米級(ji)），水(shui)流是(shi)在宏(hong)觀(guan)通道(dao)中運(yun)動的(de)，因此(ci)少(shao)量(liang)懸浮(fu)物(wu)和(he)有(you)機物(wu)不(bu)會(hui)汙堵(du)設(she)備。對前處(chu)理要求(qiu)相對較(jiao)低，而(er)且可(ke)以大大提高得(de)水(shui)率，壹(yi)般情況(kuang)下(xia)可(ke)達(da)75%以上，如有(you)特殊(shu)需(xu)要，部(bu)分(fen)濃(nong)水(shui)經回收(shou)再(zai)處(chu)理工藝，可(ke)使(shi)系(xi)統(tong)得水(shui)率達(da)到(dao)85%以上。

設(she)備集成度高，實(shi)行智(zhi)能(neng)化控制

電吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)技術的(de)開發(fa)依據(ju)於水(shui)力學(xue)、電(dian)化學(xue)、機(ji)械(xie)學(xue)、電(dian)子(zi)控制學(xue)等(deng)理論(lun)。系(xi)統(tong)采用模(mo)塊化設(she)計(ji)，各個(ge)環(huan)節(jie)在控制計(ji)算機(ji)的(de)集中(zhong)控制下(xia)形成整個(ge)系(xi)統(tong)。所有(you)的(de)執行機(ji)構(gou)、檢(jian)測(ce)儀表等(deng)均由(you)計(ji)算機(ji)按設(she)定程序(xu)實(shi)現(xian)操(cao)作(zuo)，正(zheng)常運(yun)行時(shi)不(bu)需(xu)人(ren)工幹(gan)預(yu)。

綠色技(ji)術節(jie)能(neng)、環(huan)保(bao)

由於(yu)電吸附(fu)除(chu)鹽(yan)技術利用了(le)雙電(dian)層電(dian)容靜(jing)電吸附(fu)的(de)原理，工藝運(yun)行過程中不(bu)需(xu)添加(jia)緩(huan)蝕劑(ji)、阻垢(gou)劑、還原劑(ji)之(zhi)類的(de)藥劑(ji)，系(xi)統(tong)所排(pai)放(fang)的(de)濃(nong)水(shui)均來(lai)自於原水(shui)，所以系(xi)統(tong)不(bu)會(hui)產生(sheng)新汙染物。這既(ji)節(jie)約(yue)了(le)運(yun)行成本，又避免(mian)了二(er)次汙染。另(ling)外，與其(qi)他(ta)技(ji)術相(xiang)比，電吸(xi)附(fu)技(ji)術屬(shu)於常(chang)壓操(cao)作(zuo)，提升(sheng)能(neng)耗少(shao)，其(qi)主要的(de)能(neng)量(liang)消(xiao)耗在使離子(zi)發(fa)生(sheng)遷移，並通過控制電壓(ya)使(shi)電極表(biao)面(mian)不(bu)發(fa)生(sheng)極化現(xian)象，同時工作(zuo)時所(suo)儲存的(de)電能(neng)可(ke)以在再生(sheng)時回收(shou)壹(yi)部(bu)分(fen)，因(yin)此(ci)，總(zong)體(ti)能(neng)耗較低。

高濃(nong)度反(fan)滲透濃(nong)水(shui)循(xun)環(huan)利用設(she)備
適應(ying)性好(hao)，應(ying)用領域(yu)廣(guang)泛

電(dian)吸(xi)附(fu)除(chu)鹽(yan)技術對(dui)進水(shui)水(shui)質(zhi)要(yao)求(qiu)不(bu)高，並且可(ke)以根(gen)據(ju)電壓調(tiao)節(jie)來控制除(chu)鹽(yan)率在60%－90%的(de)範(fan)圍(wei)內(nei)變(bian)化。因(yin)此(ci)，拓(tuo)展了(le)電吸(xi)附(fu)技(ji)術的(de)適用領域(yu)。電(dian)吸(xi)附(fu)可(ke)以被(bei)廣(guang)泛應(ying)用於(yu)飲(yin)用水(shui)、廢水(shui)、汙水(shui)處(chu)理等(deng)方面(mian)，包(bao)括冶(ye)金、化工、電子(zi)、電力、制藥、紡織(zhi)、造紙等(deng)工業(ye)領域(yu)。對(dui)於(yu)那些汙染較重(zhong)，不(bu)需(xu)要*除(chu)鹽(yan)的(de)場合(he)來說(shuo)電(dian)吸(xi)附(fu)不(bu)失為(wei)壹(yi)種良(liang)好(hao)的(de)選(xuan)擇(ze)。