伊爽(shuang)環境(jing)-高濃度反(fan)滲透(tou)濃水(shui)處(chu)理(li)設(she)備(bei)

高(gao)濃度反(fan)滲透(tou)濃水(shui)處(chu)理(li)設(she)備(bei)

電吸附(fu)除鹽(yan)技(ji)術原(yuan)理(li)

電吸附(fu)除鹽(yan)技(ji)術（Electrosorb Technology），簡稱（EST），又稱電(dian)容性除(chu)鹽(yan)技(ji)術（Capacitive Deionization/Desalination Technology）。

水(shui)處(chu)理(li)中的鹽(yan)類大多是(shi)以離(li)子（帶正(zheng)電(dian)或(huo)負電）的狀態(tai)存(cun)在。電吸(xi)附(fu)除鹽(yan)技(ji)術的基本(ben)思想就(jiu)是(shi)通(tong)過施(shi)加外加電(dian)壓形成靜(jing)電場，強(qiang)制(zhi)離(li)子向(xiang)帶有(you)相(xiang)反電(dian)荷的電極(ji)處移(yi)動，使離(li)子在雙電(dian)層(ceng)內富(fu)集(ji)，大(da)大降低溶液(ye)本體濃度，從(cong)而實(shi)現對(dui)水(shui)溶液(ye)的除鹽(yan)。

基(ji)本工作原(yuan)理(li)示(shi)意圖(tu)

當(dang)含(han)有(you)壹定(ding)量(liang)鹽(yan)類的原(yuan)水(shui)經過(guo)由高功(gong)能電(dian)極材(cai)料組成的電吸(xi)附(fu)模(mo)塊(kuai)時(shi)，離(li)子在直(zhi)流電場的作用(yong)下被(bei)儲(chu)存(cun)在電極(ji)表(biao)面的雙電(dian)層(ceng)中，直(zhi)至電極達(da)到飽(bao)和。此時，將(jiang)直(zhi)流電源去(qu)掉(diao)，並(bing)將正(zheng)負電極短接，由於(yu)直(zhi)流電場的消(xiao)失(shi)，儲存(cun)在雙電(dian)層(ceng)中的離(li)子又重新回到通(tong)道中，隨水(shui)流(liu)排(pai)出(chu)，電極(ji)也由(you)此(ci)得到再生(sheng)。在電吸(xi)附(fu)過程(cheng)中，電(dian)量(liang)的儲存(cun)/釋(shi)放是(shi)通(tong)過離(li)子的吸/脫(tuo)附(fu)而不(bu)是(shi)化學(xue)反(fan)應(ying)來實(shi)現的，故而能快(kuai)速充(chong)放電，而且(qie)由(you)於(yu)在充(chong)放電時(shi)僅(jin)產(chan)生(sheng)離(li)子的吸/脫(tuo)附(fu)，電極(ji)結(jie)構不(bu)會(hui)發(fa)生(sheng)變化，所以(yi)其充(chong)放電次數(shu)在原(yuan)理(li)上沒(mei)有限(xian)制(zhi)。另外，在短時間內(nei)過(guo)電(dian)壓壹般(ban)不會(hui)對(dui)裝(zhuang)置產生(sheng)不良(liang)影響。溫度(du)對(dui)離(li)子的吸脫(tuo)附(fu)速度(du)影(ying)響(xiang)不是(shi)很大(da)，故其容(rong)量(liang)變化也相(xiang)對(dui)小(xiao)得多(duo)。見(jian)下圖(tu)3再生(sheng)過程(cheng)示(shi)意圖(tu)

高(gao)濃度反(fan)滲透(tou)濃水(shui)處(chu)理(li)設(she)備(bei)